エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法
- 開放特許情報番号
- L2023000673
- 開放特許情報登録日
- 2023/6/14
- 最新更新日
- 2023/6/14
基本情報
| 出願番号 | 特願2021-530001 |
|---|---|
| 出願日 | 2020/6/29 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2021/1/7 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法 |
| 目的 | 電子を高効率に安定して放出する炭化ハフニウム（ＨｆＣ）単結晶からなるエミッタ、その製造方法およびそれを用いた電子銃および電子機器を提供する。 |
| 効果 | 電界放射顕微鏡（ＦＥＭ）によって得られる前記端部の電界電子放出パターンが単一のスポットであり、電子放出特性に優れる。また、被覆したハフニウムオキシカーバイドにより、炭化ハフニウム単結晶の電子を放出すべき端部の表面のダングリングボンドが消失するので、本発明のエミッタは、長時間にわたって安定的に電子を放出することができる。 |
技術概要) |
ナノワイヤを備えたエミッタであって、
前記ナノワイヤは、炭化ハフニウム（ＨｆＣ）単結晶からなり、 少なくとも前記ナノワイヤの電子を放出すべき端部は、ハフニウムオキシカーバイド（ＨｆＣ↓（１−ｘ）Ｏ↓ｘ：０＜ｘ≦０．５）で被覆されており、 前記ハフニウムオキシカーバイドの厚さは、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲であり、 電界放射顕微鏡（ＦＥＭ）によって得られる前記端部の電界電子放出パターンが単一のスポットである、エミッタ。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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