磁壁移動型デバイスのデータ記録方法および記録装置

開放特許情報番号:L2023000628 開放特許情報登録日:2023/6/8 最新更新日:2023/6/8

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2018/8/9
公開日
2020/2/20
出願人
日本放送協会
特許権者
日本放送協会
権利化状況
権利化済
発明の名称
磁壁移動型デバイスのデータ記録方法および記録装置
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
機械・部品の製造 制御・ソフトウェア
適用製品
磁壁移動型デバイスのデータ記録方法および記録装置
目的
漏れ磁場により安定した形状の磁区を形成することができる磁壁移動型デバイスのデータ記録方法および記録装置を提供する。
効果
第1導体配線と第2導体配線とを近接させて配置することで容易にサブミクロンオーダーの微小な磁区を形成することができる。
また、記録装置およびデータ記録方法は、磁壁移動型デバイスに微小な磁区を形成しようとしたときに、各導体配線の直下に配置された磁壁の形状をそれぞれ乱れのない安定な形状にすることができる。
また、第1導体配線と第2導体配線との間で、第1導体配線から漏れる磁場と第2導体配線から漏れる磁場とが強め合うので、所定の磁化方向を書き込むために導体配線に流す電流の値を低減できる。
技術概要
磁壁移動型デバイスは、
導入領域と、データ領域と、を長さ方向に有する少なくとも1つの磁性細線と、
導入領域の一端で磁性細線に直交するように配置され通電によって発生する磁場により磁性細線の導入領域に磁区を形成する直線状の第1導体配線と、
導入領域の他端で磁性細線に直交するように配置され通電によって発生する磁場により磁性細線の導入領域に磁区を形成する直線状の第2導体配線と、
を備えており、
磁性細線の導入領域に第1磁化方向の磁区を形成する双方向第1磁区形成工程と、
磁性細線の導入領域に第2磁化方向の磁区を形成する双方向第2磁区形成工程と、
の少なくとも一方の工程を行い、
双方向第1磁区形成工程に続けて、
磁性細線の導入領域に第1磁化方向の磁区を形成する一方向第1磁区形成工程をさらに行うか、または、双方向第2磁区形成工程に続けて、
磁性細線の導入領域に第2磁化方向の磁区を形成する一方向第2磁区形成工程をさらに行うデータ記録方法。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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