撮像素子
- 開放特許情報番号
- L2023000622
- 開放特許情報登録日
- 2023/6/8
- 最新更新日
- 2023/6/8
基本情報
出願番号 | 特願2018-145477 |
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出願日 | 2018/8/1 |
出願人 | 日本放送協会 |
公開番号 | |
公開日 | 2020/2/6 |
登録番号 | |
特許権者 | 日本放送協会 |
発明の名称 | 撮像素子 |
技術分野 | 電気・電子 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | 撮像素子 |
目的 | 波長域の選択性に優れて2以上の波長域の光の情報を波長域毎に独立して取得可能とし、感度および解像度が高く、信号の読出し特性が良好な撮像素子を提供する。 |
効果 | 波長域の選択性に優れて2以上の波長域の光の情報を波長域毎に独立して取得可能であり、感度および解像度が高く、信号の読出し特性が良好であり、簡易に製造することができる撮像素子が得られる。 |
技術概要 |
1以上の波長域の光を吸収して電荷に変換し、かつ前記波長域と異なる1以上の波長域の光を透過させる第1の光電変換層と、前記第1の光電変換層が変換した電荷を電気信号として出力させる第1の読出回路と、前記第1の光電変換層を透過した1以上の波長域の光を吸収して電荷に変換する第2の光電変換層と、を上から順に備え、さらに前記第2の光電変換層が変換した電荷を電気信号として出力させる第2の読出回路を前記第1の読出回路よりも下方に備え、複数の波長域を含む光を上から入射される撮像素子であって、
前記第1の光電変換層は、耐熱温度が300℃未満の材料を含有し、両面を透明電極膜で挟まれ、 前記第1の読出回路は、電子移動度が5cm↑2/V・s以上の半導体材料で形成された薄膜トランジスタを備え、 前記第2の光電変換層は、耐熱温度が300℃以上の材料からなり、 前記第1の光電変換層の受光面から前記第2の光電変換層の受光面までの距離が10μm以下であることを特徴とする撮像素子。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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