AlNテンプレート及びその製造方法

開放特許情報番号
L2023000614
開放特許情報登録日
2023/6/19
最新更新日
2023/6/19

基本情報

出願番号 特願2021-028849
出願日 2021/2/25
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2022-130762
公開日 2022/9/7
発明の名称 AlNテンプレート及びその製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 AlNテンプレート及びその製造方法
目的 表面の転位密度の低いAlNテンプレートを提供する。
効果 支持基板の上に形成されたバッファ層の表面に、多数のピットが形成されていることにより、その上に連続して形成されるAlN層では、低転位化が図られることとなり、その結果、転位密度の低い表面を得ることができる。
技術概要
支持基板と、前記支持基板の上にAlNが結晶成長して形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に連続してAlNが結晶成長して形成されたAlN層と、を備えたAlNテンプレートであって、
前記バッファ層の前記AlN層側の表面には、ピット密度が1×108cm−2以上の多数のピットが形成されているAlNテンプレート。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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