| 出願番号 |
特願2021-028851 |
| 出願日 |
2021/2/25 |
| 出願人 |
国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 |
特開2022-129954 |
| 公開日 |
2022/9/6 |
| 登録番号 |
特許第7704395号 |
| 特許権者 |
国立大学法人山口大学 |
| 発明の名称 |
ＧａＮ基板の製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料、金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ＧａＮ基板の製造方法 |
| 目的 |
ＨＶＰＥ法により、ベース基板の非半導体の表面から結晶品質の高いＧａＮを結晶成長させる。 |
| 効果 |
ベース基板の非半導体の表面を、１０００℃を越える温度下で、Ｎ２ガス及びＮＨ３ガスを用いて窒化処理した後、ＨＶＰＥ法により、キャリアガスとしてＮ２ガスを用いて、ベース基板の非半導体の表面からＧａＮを結晶成長させることにより、結晶品質の高いＧａＮを結晶成長させることができる。 |
技術概要
 |
ベース基板の非半導体の表面を、１０００℃を越える温度下で、Ｎ２ガス及びＮＨ３ガスを用いて窒化処理した後、ＨＶＰＥ法により、キャリアガスとしてＮ２ガスを用いて、前記ベース基板の非半導体の表面からＧａＮを結晶成長させるＧａＮ基板の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)