ＧａＮ基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2023000613
- 開放特許情報登録日
- 2023/6/19
- 最新更新日
- 2023/6/19
基本情報
| 出願番号 | 特願2021-028851 |
|---|---|
| 出願日 | 2021/2/25 |
| 出願人 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2022/9/6 |
| 発明の名称 | ＧａＮ基板の製造方法 |
| 技術分野 | 無機材料、金属材料、電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | ＧａＮ基板の製造方法 |
| 目的 | ＨＶＰＥ法により、ベース基板の非半導体の表面から結晶品質の高いＧａＮを結晶成長させる。 |
| 効果 | ベース基板の非半導体の表面を、１０００℃を越える温度下で、Ｎ２ガス及びＮＨ３ガスを用いて窒化処理した後、ＨＶＰＥ法により、キャリアガスとしてＮ２ガスを用いて、ベース基板の非半導体の表面からＧａＮを結晶成長させることにより、結晶品質の高いＧａＮを結晶成長させることができる。 |
技術概要) |
ベース基板の非半導体の表面を、１０００℃を越える温度下で、Ｎ２ガス及びＮＨ３ガスを用いて窒化処理した後、ＨＶＰＥ法により、キャリアガスとしてＮ２ガスを用いて、前記ベース基板の非半導体の表面からＧａＮを結晶成長させるＧａＮ基板の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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