GaN基板の製造方法

開放特許情報番号
L2023000613
開放特許情報登録日
2023/6/19
最新更新日
2023/6/19

基本情報

出願番号 特願2021-028851
出願日 2021/2/25
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2022-129954
公開日 2022/9/6
発明の名称 GaN基板の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 GaN基板の製造方法
目的 HVPE法により、ベース基板の非半導体の表面から結晶品質の高いGaNを結晶成長させる。
効果 ベース基板の非半導体の表面を、1000℃を越える温度下で、N2ガス及びNH3ガスを用いて窒化処理した後、HVPE法により、キャリアガスとしてN2ガスを用いて、ベース基板の非半導体の表面からGaNを結晶成長させることにより、結晶品質の高いGaNを結晶成長させることができる。
技術概要
ベース基板の非半導体の表面を、1000℃を越える温度下で、N2ガス及びNH3ガスを用いて窒化処理した後、HVPE法により、キャリアガスとしてN2ガスを用いて、前記ベース基板の非半導体の表面からGaNを結晶成長させるGaN基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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