ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法

基本情報

出願番号	特願2019-166729
出願日	2019/9/13
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2021-044460
公開日	2021/3/18
発明の名称	ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法
技術分野	電気・電子、無機材料、金属材料
機能	機械・部品の製造
適用製品	ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法
目的	セーフティ、省エネルギー、かつ移動度が高くて高速動作に適するダイヤモンド半導体によるＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法を提供する。
効果	セーフティ、省エネルギー、かつ移動度が高くて高速動作に適するダイヤモンド半導体によるＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法を提供することが可能になる。
技術概要	半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたｐ型のＭＩＳ型半導体装置であって、前記半導体層は少なくとも前記絶縁体層と接する部分の一部が水素終端されたダイヤモンドからなり、閾値電圧Ｖ↓（ＴＨ）が負電圧である、ＭＩＳ型半導体装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構