テラヘルツ磁気光学センサ、これを用いた高性能非破壊検査装置及び方法、並びにこれに用いる磁気光学撮像センサ
- 開放特許情報番号
- L2023000593
- 開放特許情報登録日
- 2023/6/9
- 最新更新日
- 2023/7/24
基本情報
| 出願番号 | 特願2019-188010 |
|---|---|
| 出願日 | 2019/10/11 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2021/4/22 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | テラヘルツ磁気光学センサ、これを用いた高性能非破壊検査装置及び方法、並びにこれに用いる磁気光学撮像センサ |
| 技術分野 | 情報・通信 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | テラヘルツ波を利用した高性能な非破壊評価装置及び方法、テラヘルツ磁気光学センサに用いて好適な磁気光学撮像センサ |
| 目的 | 可視光源およびより小さいサイズの感知ドメインを使用することによってより高い空間分解能を達成することが可能な、磁場画像装置（ＭＦＩ）を超える典型的な磁気光学撮像装置（ＭＯＩ）に用いて好適なテラヘルツ磁気光学センサを提供する。 |
| 効果 | 非破壊評価装置及び方法によれば、磁束漏洩検知による非破壊検査に用いることで、被測定試料の微細な欠陥も早期に検出できる。
磁気光学撮像センサによれば、本発明のテラヘルツ磁気光学センサの基幹となる部品が提供できる。 |
技術概要) |
パルス幅がフェムト秒のレーザパルスを発生するフェムト秒レーザと、
前記フェムト秒レーザパルスをポンプパルスとプローブパルスに分割するビームスプリッタと、 測定試料と間隔を隔てて設けられた磁気光学撮像センサと、 前記ポンプパルスを前記磁気光学撮像センサに照射するポンプパルス光照射部と、 前記ポンプパルスが照射される前記磁気光学撮像センサに、前記プローブパルスを照射するプローブパルス光照射部と、 前記ポンプパルスを当ててから、前記プローブパルスを照射するまでの遅延時間を変えながら測定を繰り返す遅延時間調整部と、 前記磁気光学撮像センサに照射するポンプパルスにより発生するテラヘルツ波によって、電気光学効果によって影響を受けた前記プローブパルスの偏光変化を検出する光検出部と、 前記磁気光学撮像センサに磁場を印加する磁場発生手段と、 を備え、前記光検出部で検出された偏光変化から、前記測定試料の磁場の変化を検出することを特徴とするテラヘルツ磁気光学センサ。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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