連想・推定記憶素子およびその使用方法

開放特許情報番号

L2023000588

開放特許情報登録日

2023/6/9

最新更新日

2023/9/26

基本情報

出願番号	特願2019-198773
出願日	2019/10/31
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2021-072143
公開日	2021/5/6
登録番号	特許第7321522号
特許権者	国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称	連想・推定記憶素子およびその使用方法
技術分野	情報・通信、電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	連想・推定記憶素子およびその使用方法
目的	装置が大きく、消費電力が大きいという課題を解決して、シンプルな素子構造のコンパクトで低消費電力な連想・推定機能を有する記憶素子を提供する。 記憶素子で効率的な連想・推定を行うのに適した使用法を提供する。
効果	シンプルな素子構造のコンパクトで低消費電力な連想・推定機能を有する記憶素子が提供される。 記憶素子で効率的な連想・推定を行うのに適した使用法が提供される。
技術概要	複数の配線からなる入力端子と複数の配線からなる出力端子を有する連想・推定記憶素子であって、 前記入力端子の配線には機械的に接するようにナノワイヤーが配置され、 前記出力端子の配線にも機械的に接するようにナノワイヤーが配置され、 前記ナノワイヤーは、被覆膜で覆われた導電性のナノワイヤーであって、複数からなり、 かつ、前記ナノワイヤーは少なくともそのうちの複数が互いに機械的に接するように配置され、 前記ナノワイヤーに電圧が印加されることにより前記被覆膜と前記ナノワイヤーが機械的に接する部分での電気的性質が変化する、連想・推定記憶素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】