半導体装置及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2023000582
- 開放特許情報登録日
- 2023/6/7
- 最新更新日
- 2023/6/7
基本情報
| 出願番号 | 特願2020-026922 |
|---|---|
| 出願日 | 2020/2/20 |
| 出願人 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2020/8/31 |
| 発明の名称 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子、無機材料、金属材料 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 目的 | 表面の平坦性の高いＮ極性ＡｌＮ層を備えた半導体装置を提供する。 |
| 効果 | ｃ面に対するオフ角度が０．５°以上５．０°以下である下地基板の主面上にＮ極性ＡｌＮをエピタキシャル成長させていることにより、表面の平坦性の高いＮ極性ＡｌＮ層を得ることができる。 |
技術概要) |
主面のｃ面に対するオフ角度が０．５°以上５．０°以下である下地基板と、
前記下地基板上にＮ極性ＡｌＮがエピタキシャル成長して形成されたＮ極性ＡｌＮ層と、 を備えた半導体装置。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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