技術概要
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半導体基板を製造するために用いられる下地基板で、
基板本体と基板本体上に設けられたマスクとを有し、
マスクと基板本体が露出した開口部とが所定方向に交互に配設された部分を含むと共に、所定方向において、マスクの幅が１０μｍ以上２０μｍ以下及びマスクの幅に対する開口部の幅の比が１０以上５０以下で、且つマスク上に半導体の結晶成長が生じることなく、開口部から露出する基板本体を底面とし、複数の三角ファセット構造を形成後、半導体が、複数の三角ファセット構造のそれぞれの斜面の斜めファセット面から結晶成長し、隣接する三角ファセット構造間を埋め込むように第１厚膜成長層を形成し、第１厚膜成長層が会合すると共に、会合部に転位が集中し、また、半導体が、結晶成長すると同時に、半導体が、複数の三角ファセット構造の上に、三角ファセット構造の頂上に連続して、三角ファセット構造の底面と同一の結晶成長面で、且つ所定方向の寸法が両側に漸次拡大して所定方向に沿った断面形状が逆三角形となるように結晶成長して第２厚膜成長層を形成し、そして、第２厚膜成長層が合体して第１厚膜成長層を埋設すると共に、その表面において転位が分散する下地基板。 |
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