下地基板

開放特許情報番号
L2023000576
開放特許情報登録日
2023/6/7
最新更新日
2023/6/7

基本情報

出願番号 特願2016-164800
出願日 2016/8/25
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2018-030763
公開日 2018/3/1
登録番号 特許第6984855号
特許権者 国立大学法人山口大学
発明の名称 下地基板
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 下地基板
目的 パワーデバイス用材料として好適な低転位密度の大面積の半導体基板を製造するための下地基板を提供する。
効果 三角ファセット構造並びに第1及び第2厚膜成長層を含む半導体層からパワーデバイス用材料として好適な低転位密度の大面積の半導体基板を製造することができる。
技術概要
半導体基板を製造するために用いられる下地基板で、
基板本体と基板本体上に設けられたマスクとを有し、
マスクと基板本体が露出した開口部とが所定方向に交互に配設された部分を含むと共に、所定方向において、マスクの幅が10μm以上20μm以下及びマスクの幅に対する開口部の幅の比が10以上50以下で、且つマスク上に半導体の結晶成長が生じることなく、開口部から露出する基板本体を底面とし、複数の三角ファセット構造を形成後、半導体が、複数の三角ファセット構造のそれぞれの斜面の斜めファセット面から結晶成長し、隣接する三角ファセット構造間を埋め込むように第1厚膜成長層を形成し、第1厚膜成長層が会合すると共に、会合部に転位が集中し、また、半導体が、結晶成長すると同時に、半導体が、複数の三角ファセット構造の上に、三角ファセット構造の頂上に連続して、三角ファセット構造の底面と同一の結晶成長面で、且つ所定方向の寸法が両側に漸次拡大して所定方向に沿った断面形状が逆三角形となるように結晶成長して第2厚膜成長層を形成し、そして、第2厚膜成長層が合体して第1厚膜成長層を埋設すると共に、その表面において転位が分散する下地基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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