圧電体素子の製造方法、及び圧電体素子
- 開放特許情報番号
- L2023000560
- 開放特許情報登録日
- 2023/6/5
- 最新更新日
- 2023/6/5
基本情報
| 出願番号 | 特願2020-146335 |
|---|---|
| 出願日 | 2020/8/31 |
| 出願人 | 国立大学法人静岡大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2022/3/11 |
| 発明の名称 | 圧電体素子の製造方法、及び圧電体素子 |
| 技術分野 | 電気・電子、化学・薬品 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 圧電体素子の製造方法、及び圧電体素子 |
| 目的 | ＣＳＤ法によって、より低温で圧電性及び強誘電性に優れる圧電体素子を製造することができる圧電体素子の製造方法を提供する。
圧電性及び強誘電性に優れる圧電体素子を提供する。 |
| 効果 | ＣＳＤ法によって、より低温で圧電性及び強誘電性に優れる圧電体素子を製造することができる圧電体素子の製造方法が提供される。
圧電性及び強誘電性に優れる圧電体素子が提供される。 |
技術概要) |
基板、第１電極層、圧電体層、及び第２電極層をこの順に備える圧電体素子の製造方法であって、
前記第１電極層は、ニッケル酸ランタン系セラミックスからなるＬＮＯ層を有し、 前記圧電体層は、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスを有し、かつ前記ＬＮＯ層の表面に形成されており、 ランタン原子、ニッケル原子、及び炭素数１以上４以下の有機溶媒を含む第１膜を、１０℃／秒以上の昇温速度で４５０℃以上６００℃以下の温度まで昇温し、前記温度を保持して、前記ＬＮＯ層を形成するＬＮＯ層形成工程を含む、圧電体素子の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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