ホウ素系マグネシウム塩の製造方法、電解液の製造方法、ホウ素系マグネシウム塩、電解液、及び、二次電池
- 開放特許情報番号
- L2023000438
- 開放特許情報登録日
- 2023/5/15
- 最新更新日
- 2023/5/15
基本情報
| 出願番号 | 特願2020-085868 |
|---|---|
| 出願日 | 2020/5/15 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2021/11/18 |
| 発明の名称 | ホウ素系マグネシウム塩の製造方法、電解液の製造方法、ホウ素系マグネシウム塩、電解液、及び、二次電池 |
| 技術分野 | 有機材料、電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | ホウ素系マグネシウム塩の製造方法、電解液の製造方法、ホウ素系マグネシウム塩、電解液、及び、二次電池 |
| 目的 | ホウ素系マグネシウム塩の製造方法を提供する。
また、電解液の製造方法、ホウ素系マグネシウム塩、電解液、及び、二次電池を提供。 |
| 効果 | マグネシウム二次電池の電解液に用いた場合に、優れた電気化学活性が得られるホウ素系マグネシウム塩を製造することができる。
また、電解液の製造方法、ホウ素系マグネシウム塩、電解液、及び、二次電池も提供できる。 |
技術概要) |
式１：Ｍｇ（ＯＲ↑１）↓２で表されるマグネシウム源化合物と、
式２：Ｂ（ＯＲ↑２）↓３で表されるホウ素源化合物と、を反応させて、 式３：Ｍｇ［Ｂ（ＯＲ↑１）（ＯＲ↑２）↓３］↓２で表されるホウ素系マグネシウム塩を含む反応生成物を得る、ホウ素系マグネシウム塩の製造方法。 （式１中、Ｒ↑１はハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基を有する１価の炭化水素基であり、分子内に複数あるＲ↑１は同一でも異なってもよく、式２中、Ｒ↑２はハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基を有する１価の炭化水素基であり、分子内に複数あるＲ↑２は同一でも異なってもよく、式３中、Ｒ↑１は、前記式１のＲ↑１と同一の基を表し、Ｒ↑２は、前記式２のＲ↑２と同一の基を表し、式２及び式３中のＲ↑２はそのいずれか２つ以上が互いに結合して分子内で環を形成してもよい。） |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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