薄膜トランジスタおよびその製造方法

基本情報

出願番号	特願2021-055043
出願日	2017/2/22
出願人	日本放送協会
公開番号	特開2021-103791
公開日	2021/7/15
登録番号	特許第7149367号
特許権者	日本放送協会
発明の名称	薄膜トランジスタおよびその製造方法
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	薄膜トランジスタ
目的	有機物等の残留量が大きい塗布型酸化物半導体において、従来よりも大きいキャリア移動度を得ることができる薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
効果	キャリアの移動度を大幅に向上させることができる。
技術概要	基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、塗布型酸化物半導体層、およびソース・ドレイン電極を有する構成とされ、前記塗布型酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁膜の上部または下部に位置するように、インジウム、亜鉛、スズおよびガリウムから選択される２種類以上の金属成分を含むとともに、フッ化水素酸を含む溶液を含む塗布型半導体前駆体溶液を所定のベース上に塗布し、酸化してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	一般財団法人　ＮＨＫ財団