| 出願番号 |
特願2021-199104 |
| 出願日 |
2021/12/8 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2022-124457 |
| 公開日 |
2022/8/25 |
| 発明の名称 |
ゲルマネンを用いた電子素子およびその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ゲルマネンを用いた電子素子およびその製造方法 |
| 目的 |
モビリティが高く、電場印加によってバンドギャップを制御できる機能をもち、かつ環境や経時安定性に優れた電子素子およびその素子の製造方法を提供する。 |
| 効果 |
モビリティが高く、電場印加によってバンドギャップを制御できる機能をもち、かつ環境や経時安定性に優れた電子素子およびその素子の製造方法を提供することが可能になる。 |
技術概要
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硫化第２銀（Ａｇ↓２Ｓ）からなる絶縁体層上にゲルマネンからなるゲルマネン層およびファンデルワールス材料からなるキャッピング層がこの順に積層されており、
前記絶縁体層側に前記ゲルマネン層と電気的に接触する銀（Ａｇ）を含む第１の電極が配置されている、電子素子。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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