光熱変換基板、その製造方法、それを用いた赤外線センサおよび反応性基板

開放特許情報番号
L2023000218
開放特許情報登録日
2023/3/29
最新更新日
2023/3/29

基本情報

出願番号 特願2021-027354
出願日 2021/2/24
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2022-128892
公開日 2022/9/5
発明の名称 光熱変換基板、その製造方法、それを用いた赤外線センサおよび反応性基板
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 光熱変換基板、その製造方法、それを用いた赤外線センサおよび反応性基板
目的 光熱変換効率を増大させた光熱変換用基板、その製造方法、それを用いた赤外線センサおよび反応性基板を提供する。
効果 効率的に吸収した光を熱に変換できるとともに、実効的な熱伝導率が異方性を有するため、熱の保持効果に優れる。この結果、光熱変換効率が増大した光熱変換用基板を提供できる。
技術概要
光の照射によって発熱する光熱変換基板であって、
前記光の波長λにおける複素誘電率の虚部が正である材料からなり、
表面に互いに独立したピラーからなるナノ構造を有し、
前記ピラーの周期は、前記波長λの2倍以下であり、
前記ピラーの幅に対する前記ピラーの高さの比は、0.5以上であり、
前記ピラーの周期に対する前記ピラーの幅の比は、0.1以上1未満の範囲である、光熱変換基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2022 INPIT