平面型熱電変換素子、および、その製造方法
- 開放特許情報番号
- L2023000179
- 開放特許情報登録日
- 2023/3/17
- 最新更新日
- 2025/2/27
基本情報
| 出願番号 | 特願2021-103708 |
|---|---|
| 出願日 | 2021/6/23 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2023/1/11 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | 平面型熱電変換素子、および、その製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 平面型熱電変換素子、および、その製造方法 |
| 目的 | 微細加工プロセスに有利な平面型熱電変換素子、および、その製造方法を提供する。 |
| 効果 | 優れた熱電特性を有し、シリコン窒化膜はマグネシウム系熱電半導体膜と良好な界面を形成するため、素子特性の劣化を抑制できる。
シリコン窒化膜を形成することにより、リソグラフィ技術の利用において、レジストとの密着性が向上するため、その後のマグネシウム系熱電半導体薄膜の露出や電極形成といった微細加工プロセスによってもレジストが剥離することなく、歩留まりに優れる。 |
技術概要) |
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に位置する少なくとも一対の第１の熱電薄膜および第２の熱電薄膜と、 前記第１の熱電薄膜と前記第２の熱電薄膜とを接続する電極と を備え、 前記第１の熱電薄膜は、マグネシウム系熱電半導体膜、および、前記マグネシウム系熱電半導体膜上に位置するシリコン窒化膜を備え、 前記電極は、前記第１の熱電薄膜のうち前記マグネシウム系熱電半導体膜と前記第２の熱電薄膜とを電気的に接続する、平面型熱電変換素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
|---|---|
その他の情報
| 関連特許 |
|
|---|