紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器
- 開放特許情報番号
- L2022002105
- 開放特許情報登録日
- 2022/12/28
- 最新更新日
- 2022/12/28
基本情報
| 出願番号 | 特願2020-001679 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/1/30 |
| 出願人 | 国立研究開発法人理化学研究所 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2020/4/16 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人理化学研究所 |
| 発明の名称 | 紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器 |
| 目的 | 光取出し効率ηＬＥＥを高めるためのＤＵＶＬＥＤを提供し、高効率のＤＵＶＬＥＤの実現に寄与する。 |
| 効果 | ｐ型コンタクト層による吸収が抑制され光取出し効率ηＬＥＥを高めた紫外発光ダイオードが実現される。 |
技術概要) |
単結晶のサファイアまたはＡｌＮ結晶の基板と、
該基板に接して、または該基板上に設けられた追加のバッファー層に接して配置され、少なくともｎ型導電層、再結合層、およびｐ型導電層が該基板の側からこの順に積層して配置されているＡｌＮとＧａＮの混晶の紫外発光層と、 前記ｐ型導電層に電気的に接続しているＡｌＮとＧａＮの混晶のｐ型コンタクト層と、 前記紫外発光層から発せられる２８０ｎｍ以下の主要波長をもつ紫外線である放射ＵＶに対する反射性金属膜からなる反射電極であって、前記ｐ型コンタクト層に直にまたはオーミックコンタクトのための挿入金属層を介して接して配置される反射電極と を備えており、 前記ｐ型コンタクト層の前記ＡｌＮとＧａＮの混晶の材質にさらにＩｎが含まれており、 前記ｐ型コンタクト層の材質が、前記放射ＵＶの主要波長に比べ短い波長を組成波長としてもつようにされている紫外発光ダイオード。 |
| 実施実績 | 【有】 |
| 許諾実績 | 【有】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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