磁気記憶装置
- 開放特許情報番号
- L2022002092
- 開放特許情報登録日
- 2022/12/27
- 最新更新日
- 2022/12/27
基本情報
| 出願番号 | 特願2017-120326 |
|---|---|
| 出願日 | 2017/6/20 |
| 出願人 | 国立大学法人三重大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2019/1/10 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人三重大学 |
| 発明の名称 | 磁気記憶装置 |
| 技術分野 | 電気・電子、情報・通信 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 磁気記憶装置 |
| 目的 | 電界効果を大きくすることが可能な磁気記憶装置を提供する。 |
| 効果 | 電界効果を大きくすることが可能な磁気記憶装置が提供される。 |
技術概要) |
実施形態に係る磁性素子は、第１領域と、３原子層以下の厚さを有する第２領域と、第３領域と、を含む。前記第２領域は、前記第１領域と前記第３領域との間に位置する。前記第１領域は、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む。前記第２領域は、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された１つの第１原子と、複数の第１酸素原子と、を含む。前記第３領域は、金属原子と、第２酸素原子と、を含む。前記第２領域から前記第１領域に向かう第１方向において、前記第１原子は、前記第２酸素原子と、前記複数の第１酸素原子の１つと、の間にある。前記第１方向と交差する第２方向において、前記第１原子は、前記複数の第１酸素原子の２つの間にある。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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