磁気記憶装置

開放特許情報番号
L2022002092
開放特許情報登録日
2022/12/27
最新更新日
2022/12/27

基本情報

出願番号 特願2017-120326
出願日 2017/6/20
出願人 国立大学法人三重大学
公開番号 特開2019-004124
公開日 2019/1/10
登録番号 特許第7055319号
特許権者 国立大学法人三重大学
発明の名称 磁気記憶装置
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 磁気記憶装置
目的 電界効果を大きくすることが可能な磁気記憶装置を提供する。
効果 電界効果を大きくすることが可能な磁気記憶装置が提供される。
技術概要
実施形態に係る磁性素子は、第1領域と、3原子層以下の厚さを有する第2領域と、第3領域と、を含む。前記第2領域は、前記第1領域と前記第3領域との間に位置する。前記第1領域は、Fe、Co、及びNiからなる群から選択された少なくとも1つを含む。前記第2領域は、Co及びNiからなる群から選択された1つの第1原子と、複数の第1酸素原子と、を含む。前記第3領域は、金属原子と、第2酸素原子と、を含む。前記第2領域から前記第1領域に向かう第1方向において、前記第1原子は、前記第2酸素原子と、前記複数の第1酸素原子の1つと、の間にある。前記第1方向と交差する第2方向において、前記第1原子は、前記複数の第1酸素原子の2つの間にある。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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