磁気記憶装置

開放特許情報番号

L2022002092

開放特許情報登録日

2022/12/27

最新更新日

2022/12/27

基本情報

出願番号	特願2017-120326
出願日	2017/6/20
出願人	国立大学法人三重大学
公開番号	特開2019-004124
公開日	2019/1/10
登録番号	特許第7055319号
特許権者	国立大学法人三重大学
発明の名称	磁気記憶装置
技術分野	電気・電子、情報・通信
機能	機械・部品の製造
適用製品	磁気記憶装置
目的	電界効果を大きくすることが可能な磁気記憶装置を提供する。
効果	電界効果を大きくすることが可能な磁気記憶装置が提供される。
技術概要	実施形態に係る磁性素子は、第１領域と、３原子層以下の厚さを有する第２領域と、第３領域と、を含む。前記第２領域は、前記第１領域と前記第３領域との間に位置する。前記第１領域は、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む。前記第２領域は、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された１つの第１原子と、複数の第１酸素原子と、を含む。前記第３領域は、金属原子と、第２酸素原子と、を含む。前記第２領域から前記第１領域に向かう第１方向において、前記第１原子は、前記第２酸素原子と、前記複数の第１酸素原子の１つと、の間にある。前記第１方向と交差する第２方向において、前記第１原子は、前記複数の第１酸素原子の２つの間にある。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立大学法人三重大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】