磁気記憶装置
- 開放特許情報番号
- L2022002092
- 開放特許情報登録日
- 2022/12/27
- 最新更新日
- 2022/12/27
基本情報
出願番号 | 特願2017-120326 |
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出願日 | 2017/6/20 |
出願人 | 国立大学法人三重大学 |
公開番号 | |
公開日 | 2019/1/10 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立大学法人三重大学 |
発明の名称 | 磁気記憶装置 |
技術分野 | 電気・電子、情報・通信 |
機能 | 機械・部品の製造 |
適用製品 | 磁気記憶装置 |
目的 | 電界効果を大きくすることが可能な磁気記憶装置を提供する。 |
効果 | 電界効果を大きくすることが可能な磁気記憶装置が提供される。 |
技術概要![]() |
実施形態に係る磁性素子は、第1領域と、3原子層以下の厚さを有する第2領域と、第3領域と、を含む。前記第2領域は、前記第1領域と前記第3領域との間に位置する。前記第1領域は、Fe、Co、及びNiからなる群から選択された少なくとも1つを含む。前記第2領域は、Co及びNiからなる群から選択された1つの第1原子と、複数の第1酸素原子と、を含む。前記第3領域は、金属原子と、第2酸素原子と、を含む。前記第2領域から前記第1領域に向かう第1方向において、前記第1原子は、前記第2酸素原子と、前記複数の第1酸素原子の1つと、の間にある。前記第1方向と交差する第2方向において、前記第1原子は、前記複数の第1酸素原子の2つの間にある。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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