光アイソレータ

開放特許情報番号
L2022002034
開放特許情報登録日
2022/12/19
最新更新日
2022/12/19

基本情報

出願番号 特願2013-267840
出願日 2013/12/25
出願人 国立大学法人東京農工大学
公開番号 特開2015-125186
公開日 2015/7/6
登録番号 特許第6284179号
特許権者 国立大学法人東京農工大学
発明の名称 光アイソレータ
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体レーザーの戻り光を遮断する光アイソレータ
目的 バッファ層、光導波路層、強磁性金属層は、プラズモン導波路における進み光の伝搬損失および
戻り光の伝搬損失により定まる性能指数が極大値となる膜厚を有する光アイソレータを提供する。
効果 進み光と戻り光の減衰入射角度θの差が極大となる値に設定されるので、進み光では、光導波路層における伝搬光強度がプラズモン導波路における伝搬光強度より大きく、かつ、戻り光では光導波路層における伝搬光強度がプラズモン導波路における伝搬光強度より小さく、プラズモン導波路から受ける伝搬光の減衰の度合いが、進み光の方が戻り光より小さい光アイソレータを実現できる。
技術概要
下部クラッド層と、
前記下部クラッド層上に配置された光導波路層と、
前記光導波路層上に配置されたバッファ層と、
前記バッファ層上の一部に配置され、前記バッファ層との界面においてプラズモン導波路を形成する強磁性金属層と
を備え、
前記バッファ層は、進み光の伝搬損失および戻り光の伝搬損失により定まる性能指数が極大値となる膜厚を有し、
前記光導波路層は、シリコンで形成され、
前記強磁性金属層は、コバルトで形成され、
前記バッファ層は、酸化シリコンで形成され、1.5μmから2μmの膜厚を有する光アイソレータ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 国立大学法人東京農工大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2022 INPIT