基板構造体、支持構造体、薄膜素子の応用デバイス、テラヘルツ帯域電磁波発振素子及びテラヘルツ帯域電磁波発振装置

開放特許情報番号
L2022001888
開放特許情報登録日
2022/11/22
最新更新日
2022/11/22

基本情報

出願番号 特願2019-128660
出願日 2019/7/10
出願人 国立大学法人 筑波大学
公開番号 特開2021-015854
公開日 2021/2/12
発明の名称 基板構造体、支持構造体、薄膜素子の応用デバイス、テラヘルツ帯域電磁波発振素子及びテラヘルツ帯域電磁波発振装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 基板構造体、支持構造体及び薄膜素子の応用デバイス
目的 超伝導素子などの薄膜素子における確実な支持、素子と電極との密着性を高めた配線、及び電極基板を介した効率的な排熱等を実現し、その薄膜素子をデバイスとして機能させるための、基板構造体、支持構造体及び薄膜素子の応用デバイスを提供する。特に、テラヘルツ波を安定して発振することが可能となるテラヘルツ帯域電磁波発振素子及びテラヘルツ帯域電磁波発振装置を提供する。
効果 超伝導素子などの薄膜素子における確実な支持、素子と電極との密着性を高めた配線、及び電極基板を介した効率的な排熱等を実現し、その薄膜素子をデバイスとして機能させるための、基板構造体、支持構造体及び薄膜素子の応用デバイスを提供
することができる。特に、テラヘルツ波を安定して発振することが可能となるテラヘルツ帯域電磁波発振素子及びテラヘルツ帯域電磁波発振装置を提供することができる。
技術概要
超伝導体を含む超伝導素子と、
第一の電極基板と、
第二の電極基板と、を積層してなる基板構造体であって、
前記第一の電極基板と前記第二の電極基板が重なり合った積層領域と、前記電極基板同士が互いに重なり合わない非積層領域とが形成されており、
前記積層領域に、前記超伝導素子を挟み込むように配置し、
前記非積層領域には、配線の接続箇所を設けることを特徴とする、基板構造体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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