薄膜トランジスタおよびその製造方法

基本情報

出願番号	特願2018-024197
出願日	2018/2/14
出願人	日本放送協会
公開番号	特開2019-140318
公開日	2019/8/22
登録番号	特許第7116553号
特許権者	日本放送協会
発明の名称	薄膜トランジスタおよびその製造方法
技術分野	電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	薄膜トランジスタおよびその製造方法
目的	主成分として酸窒化亜鉛を半導体層に用いた薄膜トランジスタにおいて、ＩＧＺＯ－ＴＦＴと同等程度以上の高い移動度を確保しつつ、電気的特性の安定性を向上させうる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
効果	高い移動度を保持しつつ、経年的な電気的特性の安定化を図ることができる。
技術概要	活性層としての半導体層として、少なくともＺｎ、Ｏ、Ｎ、およびＴａを含む半導体を材料として用い、前記半導体層に含まれるＴａの割合が０．３ａｔｏｍｉｃ％以上、かつ１．１ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	一般財団法人　ＮＨＫ財団