薄膜デバイス

開放特許情報番号

L2022001666

開放特許情報登録日

2022/10/21

最新更新日

2022/10/21

基本情報

出願番号	特願2017-230117
出願日	2017/11/30
出願人	日本放送協会
公開番号	特開2018-137423
公開日	2018/8/30
登録番号	特許第7060366号
特許権者	日本放送協会
発明の名称	薄膜デバイス
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品	薄膜デバイス
目的	エッチストップ構造のＴＦＴにおいて、従来技術よりもチャネルの長さを短縮することができ、オン電流の増加を図ることが可能な薄膜デバイスを提供する。
効果	エッチストップ構造のＴＦＴにおいて従来技術のものよりも短いチャネル長を得ることができ、より高いオン電流を得ることが可能である。
技術概要	基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、酸化物半導体膜を保護するエッチストップ層、およびソース電極とドレイン電極を有するソース/ドレイン電極部を、この順に積層してなる薄膜トランジスタであって 酸化物半導体膜は、ソース電極とドレイン電極に接する電極部隣接領域を各々有し ソース電極側で電極部隣接領域に接する第１のチャネル領域と、ドレイン電極側で電極部隣接領域に接する第２のチャネル領域とを有し ２つのチャネル領域の各々の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有する低抵抗領域を有する薄膜トランジスタを備えた薄膜デバイスであって ゲート電極が、ソース/ドレイン電極部を構成するソース電極側とドレイン電極側の領域に各々対応するように分割され 分割されたゲート電極の一方と、ソース電極と、上下方向にソース電極と重ならず、エッチストップ層と重なる酸化物半導体膜の領域とを含んで構成された第１の薄膜トランジスタ、および分割されたゲート電極の他方と、ドレイン電極と、上下方向にドレイン電極と重ならず、エッチストップ層と重なる酸化物半導体膜の領域とを含んで構成された第２の薄膜トランジスタとを、備えたことを特徴とする薄膜デバイス。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	一般財団法人　ＮＨＫ財団

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】