結晶および積層体
- 開放特許情報番号
- L2022001538
- 開放特許情報登録日
- 2022/9/28
- 最新更新日
- 2022/9/28
基本情報
| 出願番号 | 特願2013-508712 |
|---|---|
| 出願日 | 2012/10/3 |
| 出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2013/4/11 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 | 結晶および積層体 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 結晶および積層体 |
| 目的 | スピン偏極伝導電子を高効率に生成する積層体、およびこの積層体を作ることができる結晶を提供する。 |
| 効果 | スピン偏極伝導電子を高効率に生成する積層体、およびこの積層体を作ることができる結晶を提供することができる。 |
技術概要) |
ウルツ鉱構造を有する結晶である下地膜と、
Ｍを、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、ＦｅもしくはＣｕまたはこれらの混合物、または、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、ＦｅもしくはＣｕまたはこれらの混合物と、Ｚｎと、の混合物とし、かつＸの範囲を０＜Ｘ＜１としたとき、前記下地膜上に形成されたヘキサゴナル構造を有するＭｇ↓ＸＭ↓（１−Ｘ）Ｏ膜と、 を具備し、 前記ヘキサゴナル構造は、ＭｇまたはＭを２０、Ｏを２２と示したとき、以下の結晶構造である ことを特徴とする積層体。 |
| イメージ図 | |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
)
登録者情報
| 登録者名称 | |
|---|---|
その他の情報
| 関連特許 |
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