薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
- 開放特許情報番号
- L2022001507
- 開放特許情報登録日
- 2022/9/21
- 最新更新日
- 2022/9/21
基本情報
| 出願番号 | 特願2014-506223 |
|---|---|
| 出願日 | 2013/3/18 |
| 出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2013/9/26 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| 目的 | 酸化物を少なくともチャネル及びゲート絶縁層に適用した薄膜トランジスタの高性能化、又はそのような薄膜トランジスタの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。 |
| 効果 | ゲート絶縁層及びチャネルをいずれも酸化物によって形成した高性能の薄膜トランジスタが実現される。また、比較的簡素な処理によって酸化物が形成されるため、工業性ないし量産性に優れた薄膜トランジスタの製造方法を提供することができる。 |
技術概要) |
ゲート電極とチャネルとの間に、ランタン（Ｌａ）とジルコニウム（Ｚｒ）とからなる酸化物（不可避不純物を含み得る）であるゲート絶縁層を備え、
前記チャネルが、 インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）とジルコニウム（Ｚｒ）とからなり、前記インジウム（Ｉｎ）を１としたときのジルコニウム（Ｚｒ）の原子数比が０．０１５以上０．０７５以下である第１酸化物（不可避不純物を含み得る）、 インジウム（Ｉｎ）とジルコニウム（Ｚｒ）とからなり、前記インジウム（Ｉｎ）を１としたときのジルコニウム（Ｚｒ）の原子数比が０．０５５以上０．１６である第２酸化物（不可避不純物を含み得る）、又は インジウム（Ｉｎ）とランタン（Ｌａ）とからなり、前記インジウム（Ｉｎ）を１としたときのランタン（Ｌａ）の原子数比が０．０５５以上０．１６以下である第３酸化物（不可避不純物を含み得る）からなるチャネル用酸化物である、 薄膜トランジスタ。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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