半導体メモリ装置およびその製造方法

開放特許情報番号
L2022001478
開放特許情報登録日
2022/9/14
最新更新日
2022/9/14

基本情報

出願番号 特願2012-270226
出願日 2012/12/11
出願人 国立大学法人東京農工大学
公開番号 特開2014-116495
公開日 2014/6/26
登録番号 特許第6044931号
特許権者 国立大学法人東京農工大学
発明の名称 半導体メモリ装置およびその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体メモリ装置およびその製造方法
目的 ダイオード特性を有する半導体メモリ装置を提供する。また、半導体メモリ装置の製造方法を提供する。
効果 ダイオード特性を有する半導体メモリ装置を得ることができる。
技術概要
n型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に形成され、電子を捕獲する電子捕獲層と、
前記電子捕獲層上に形成されたp型の第2半導体層と、
前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、
を含み、
前記電子捕獲層は、
炭素とシリコンとを含む層であって、前記第1電極と前記第2電極との間に電圧が印加されることによって、前記第2半導体層との界面において、電子を捕獲および放出する層である、半導体メモリ装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 国立大学法人東京農工大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2022 INPIT