| 出願番号 |
特願2018-196889 |
| 出願日 |
2017/6/1 |
| 出願人 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
特開2019-041113 |
| 公開日 |
2019/3/14 |
| 登録番号 |
特許第6952344号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
ＨＥＭＴ |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ＨＥＭＴ素子とその製造方法 |
| 目的 |
高ドナー濃度領域においても高い電子移動度を示すｎ型導電型を示す２元系、３元系または４元系の窒化物半導体、より具体的には、１３族窒化物半導体膜を容易に製造し、それを用いたＨＥＭＴ素子を提供する。 |
| 効果 |
半導体デバイスとして利用し易く良質な１３族窒化物半導体膜を提供することができる。 |
技術概要
 |
ソース、ゲート及びドレインが備えられ、ソース電極とドレイン電極とのコンタクト層に薄膜の窒化物半導体が用いられたＨＥＭＴであって、
前記窒化物半導体は、窒素と、Ｂ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の１３族元素を含有し、電子濃度が１×１０↑（20）ｃｍ↑（-3）以上で、且つ、比抵抗が０．３×１０↑（-3）Ω・ｃｍ以下である、ＨＥＭＴ。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)