AlN分極反転構造の製造方法

開放特許情報番号
L2022001096
開放特許情報登録日
2022/7/29
最新更新日
2022/7/29

基本情報

出願番号 特願2019-101995
出願日 2019/5/31
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2020-197562
公開日 2020/12/10
発明の名称 AlN分極反転構造の製造方法
技術分野 情報・通信、無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 AlN分極反転構造の製造方法
目的 歩留まりが高いAlN分極反転構造の製造方法を提供する。
効果 厚さ方向に分極した第1AlN層上にAlNを結晶成長させて第1AlN層とは分極が反転した第2AlN層を形成するので、第1及び第2AlN層間の全面が概ね一様に接合された構造となり、そのため高い歩留まりを得ることができる。
技術概要
厚さ方向に分極した第1AlN層の表面を、Al源ガス及びN源ガスが流通する雰囲気に曝し、前記第1AlN層上にAlNを結晶成長させて前記第1AlN層とは分極が反転した第2AlN層を形成するAlN分極反転構造の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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