AlN分極反転構造の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2022001096
- 開放特許情報登録日
- 2022/7/29
- 最新更新日
- 2023/3/24
基本情報
出願番号 | 特願2019-101995 |
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出願日 | 2019/5/31 |
出願人 | 国立大学法人山口大学 |
公開番号 | |
公開日 | 2020/12/10 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立大学法人山口大学 |
発明の名称 | AlN分極反転構造の製造方法 |
技術分野 | 情報・通信、無機材料、金属材料 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | AlN分極反転構造の製造方法 |
目的 | 歩留まりが高いAlN分極反転構造の製造方法を提供する。 |
効果 | 厚さ方向に分極した第1AlN層上にAlNを結晶成長させて第1AlN層とは分極が反転した第2AlN層を形成するので、第1及び第2AlN層間の全面が概ね一様に接合された構造となり、そのため高い歩留まりを得ることができる。 |
技術概要![]() |
厚さ方向に分極した第1AlN層の表面を、Al源ガス及びN源ガスが流通する雰囲気に曝し、前記第1AlN層上にAlNを結晶成長させて前記第1AlN層とは分極が反転した第2AlN層を形成するAlN分極反転構造の製造方法。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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