半導体基板の製造方法及びそれに用いる下地基板

開放特許情報番号

L2022001092

開放特許情報登録日

2022/7/29

最新更新日

2023/6/23

基本情報

出願番号	特願2019-029358
出願日	2019/2/21
出願人	国立大学法人山口大学
公開番号	特開2020-132482
公開日	2020/8/31
登録番号	特許第7284983号
特許権者	国立大学法人山口大学
発明の名称	半導体基板の製造方法及びそれに用いる下地基板
技術分野	無機材料、金属材料、電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	半導体基板の製造方法及びそれに用いる下地基板
目的	転位が分散した半導体基板の製造方法を提供する。
効果	複数の小三角ファセット構造を形成し、各々、その複数の小三角ファセット構造のうちの２以上を取り込んだ複数の大三角ファセット構造を形成することにより、転位が分散した半導体基板を製造することができる。
技術概要	各々、所定方向に沿った断面形状が相対的に小さい三角形を構成するように半導体が結晶成長した複数の小三角ファセット構造を、それらが前記所定方向に並んで配設されるように形成するステップと、 各々、前記複数の小三角ファセット構造のうちの２以上を取り込むとともに、前記所定方向に沿った断面形状が相対的に大きい三角形を構成するように前記半導体が結晶成長した複数の大三角ファセット構造を、それらが前記所定方向に並んで配設されるように形成するステップと、 を含む半導体基板の製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	有限会社山口ティー・エル・オー

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】