| 出願番号 |
特願2010-037025 |
| 出願日 |
2010/2/23 |
| 出願人 |
国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 |
特開2011-175997 |
| 公開日 |
2011/9/8 |
| 登録番号 |
特許第5435646号 |
| 特許権者 |
国立大学法人山口大学 |
| 発明の名称 |
半導体基板及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
半導体基板及びその製造方法、並びにそれを用いた電子デバイス及び半導体発光素子 |
| 目的 |
欠陥密度が小さく且つ大面積のＡｌＮ層を得ることができる方法を提供する。 |
| 効果 |
サファイア基板の基板表面における主面部分からＡｌＮを結晶成長させることなく、非主面部分を起点としてＡｌＮを結晶成長させることにより、主面部分の法線方向に成長した、欠陥密度が小さく且つ大面積のＡｌＮ層を得ることができる。 |
技術概要
 |
基板表面が、主面部分と、該主面部分とは面方位が異なる非主面部分と、を有するサファイア基板を用い、
所定の結晶成長温度条件下において、上記サファイア基板の上記基板表面における上記主面部分からＡｌＮを結晶成長させることなく、上記非主面部分を起点としてＡｌＮを結晶成長させることにより、該主面部分の法線方向に成長した層厚さが２〜２０μｍのＡｌＮ層を形成する半導体基板の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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