半導体基板及びその製造方法

開放特許情報番号
L2022001069
開放特許情報登録日
2022/7/14
最新更新日
2022/7/14

基本情報

出願番号 特願2010-526523
出願日 2009/8/20
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 WO2010/023846
公開日 2010/3/4
登録番号 特許第5392855号
特許権者 国立大学法人山口大学
発明の名称 半導体基板及びその製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体基板及びその製造方法、並びにそれを用いた電子デバイス及び半導体発光素子
目的 多重量子井戸層において、発光効率の低下や必要な注入電流の増大に伴う発光のピーク波長シフトなどの問題に対し、自発分極とピエゾ分極の重畳された内部電界の影響を回避する。
効果 発光効率の低下や注入電流の増大にともなう発光のピーク波長シフトといった問題を改善することができる。
技術概要
基板表面が、基板主面部分と、該基板主面部分とは面方位が異なると共にGaNの結晶成長が可能な結晶成長面部分と、を有するサファイア基板と、
上記サファイア基板の上記基板表面における上記結晶成長面部分を起点としてGaNが結晶成長することにより上記基板主面部分の法線方向に成長して形成されたGaN層と、
を備え、
上記サファイア基板は、上記基板主面部分がr面であると共に、上記結晶成長面部分がGaNのc面成長が可能な面であり、
上記GaN層は、上記サファイア基板の上記基板表面における上記基板主面部分と平行な面が半極性面である半導体基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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