酸化物超伝導薄膜の製造方法

開放特許情報番号

L2022000990

開放特許情報登録日

2022/6/29

最新更新日

2022/6/29

基本情報

出願番号	特願2009-065969
出願日	2009/3/18
出願人	独立行政法人国立高等専門学校機構
公開番号	特開2010-215467
公開日	2010/9/30
登録番号	特許第5236542号
特許権者	独立行政法人国立高等専門学校機構
発明の名称	酸化物超伝導薄膜の製造方法
技術分野	無機材料、金属材料、電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	酸化物超伝導薄膜の製造方法
目的	結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能な酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。また、酸化物超伝導薄膜の量産化に好適で工業価値の高い酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。
効果	結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、その酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を実現可能な超伝導薄膜積層体を形成可能とする酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供できる。また、製造工程中に有毒元素を含まないで当該酸化物超伝導薄膜を形成できるので、当該酸化物超伝導薄の量産化に好適で工業価値の高い酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供できる。
技術概要	単結晶基板上に、バッファー薄膜を介してＢａＣａ↓ｎＣｕ↓（ｎ＋１）Ｏ↓ｚ（ｎ≧０及びＺ≦２ｎ＋２）で構成される酸化物超伝導薄膜を、所定の基板温度及び所定の酸素圧中で形成する酸化物超伝導薄膜の製造方法であって、 前記単結晶基板上にＹＢａ↓２Ｃｕ↓３Ｏ↓ｘ（６．５≦Ｘ＜８）で構成される前記バッファー薄膜を形成する第１の工程と、 前記バッファー薄膜上に連続して前記酸化物超伝導薄膜を形成する第２の工程とを備え、 前記第１の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、 前記第２の工程は、前記酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、 前記超伝導薄膜成長工程に連続し、前記基板温度を２℃／分以下で徐冷させる徐冷工程と、 前記徐冷工程に連続し、前記基板温度を１５℃／分〜２０℃／分で急冷させる急冷工程とを含む酸化物超伝導薄膜の製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	独立行政法人国立高等専門学校機構　熊本高等専門学校

その他の情報

関連特許	国内 【有】 国外 【無】