複合素子の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2022000946
- 開放特許情報登録日
- 2022/6/21
- 最新更新日
- 2022/6/21
基本情報
| 出願番号 | 特願2016-224849 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/11/18 |
| 出願人 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2018/5/24 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 |
| 発明の名称 | 複合素子の製造方法 |
| 技術分野 | 情報・通信、電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 複合素子 |
| 目的 | 情報の記憶のみならず伝搬機能を有し、かつ、記録密度を向上するための書き込みおよび読み取りの分解能の向上を図りうる新種の素子等を提供する。 |
| 効果 | 圧電性強誘電体に局所的な圧電歪みを残留またはこれを解除させるように電圧が少なくとも一時的に（たとえばパルス電圧が）印加されるだけで情報記憶機能または情報伝搬機能を発揮しうるので、その分だけ電力消費量の低減が図られる。磁気光学的手法を用いることで、チャネルのサイズ（情報の空間分解能）の制約を受けることなく情報（局所的な磁化状態）の読み取りが可能となるので、情報の伝送密度または記録密度の向上が図られる。 |
技術概要) |
基板の上にイオンを吸着させる工程と、
ディップコーティング法により前記イオンを介して前記基板の上に、ポリイオンが前記イオンと極性が異なるような高分子電解質を化学的に析出させることにより高分子電解質層を形成する工程と、 ディップコーティング法により前記高分子電解質層の上に、導電性高分子化合物を化学的に析出させることにより導電性高分子化合物層を形成する工程と、 前記導電性高分子化合物層に磁性粒子を電気化学的にドープする工程と、 前記導電性高分子化合物の鎖状構造の延在方向について、前記導電性高分子化合物層の各端面に圧電性強誘電体を接合する工程と、を含んでいることを特徴とする複合素子の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 秋田工業高等専門学校 |
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その他の情報
| 関連特許 |
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