複合素子およびその製造方法ならびに情報処理装置

開放特許情報番号
L2022000944
開放特許情報登録日
2022/6/21
最新更新日
2022/6/21

基本情報

出願番号 特願2014-201833
出願日 2014/9/30
出願人 独立行政法人国立高等専門学校機構
公開番号 特開2016-072496
公開日 2016/5/9
登録番号 特許第6404065号
特許権者 独立行政法人国立高等専門学校機構
発明の名称 複合素子およびその製造方法ならびに情報処理装置
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 複合素子
目的 情報伝送機能または情報記憶機能を有し、かつ、伝送密度または記録密度を向上するための書き込みおよび読み取りの分解能の向上を図りうる新種の素子等を提供する。
効果 マトリックスに局所的な圧電歪みを残留またはこれを解除させるように電圧が少なくとも一時的に(たとえばパルス電圧が)印加されるだけで情報記憶機能または情報伝搬機能を発揮しうるので、その分だけ電力消費量の低減が図られる。磁気光学的手法を用いることで、チャネルのサイズ(情報の空間分解能)の制約を受けることなく情報(局所的な磁化状態)の読み取りが可能となるので、情報の伝送密度または記録密度の向上が図られる。
技術概要
誘電体および磁性体が組み合わせられることで構成されている複合素子であって、
圧電性強誘電体からなるマトリックスと、
前記複合素子の第1端部および第2端部の間で相互に独立して延在するように前記マトリックスに埋設されている、外力によって磁歪性強磁性体となる超常磁性体からなる複数のチャネルと、
前記第1端部の側面に沿って連続的または断続的に延在する第1内因電極と、を備えていることを特徴とする複合素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 独立行政法人国立高等専門学校機構 秋田工業高等専門学校

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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