光偏向素子、及び、表示装置
- 開放特許情報番号
- L2022000586
- 開放特許情報登録日
- 2022/4/20
- 最新更新日
- 2022/4/20
基本情報
| 出願番号 | 特願2017-130624 |
|---|---|
| 出願日 | 2017/7/3 |
| 出願人 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2019/1/31 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 日本放送協会 |
| 発明の名称 | 光偏向素子、及び、表示装置 |
| 技術分野 | 情報・通信、電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 光偏向素子、及び、表示装置 |
| 目的 | ＬＥＤ光源部からの発光と発光を偏向する偏向部を同一基板上で実現することができる光偏向素子、及び、この光偏向素子を用いた表示装置を提供すること。 |
| 効果 | 発光素子上に設けた電極間に電圧を印加するという簡単な構成で出射方向を偏向するため、光偏向素子を小型化することができる。 |
技術概要) |
サファイア基板と、
前記サファイア基板のＣ面上に設けたＧａ↓ｘＡｌ↓（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）を母体材料とするｎ型層と、 前記ｎ型層に積層された活性層である、Ｉｎ↓ｙＧａ↓（１−ｙ）Ｎ（０＜ｙ≦１）で構成される量子井戸層又はＩｎ↓ｙＧａ↓（１−ｙ）Ｎ（０＜ｙ≦１）と障壁層（ＧａＮ）のペアを多層化した多重量子井戸と、 前記量子井戸層又は前記多重量子井戸に積層されたＧａ↓ｘＡｌ↓（１−ｘ）Ｎ（０＜ｘ≦１）を母体材料とするｐ型層と、 前記ｎ型層、前記量子井戸層、及び前記ｐ型層の積層体の第１領域に順バイアスの第１電圧を印加することにより、前記第１領域を発光ダイオード部として機能させる第１電圧印加部と、 前記積層体のうち、前記第１領域よりも前記発光ダイオード部の発光がダイオード内を光伝搬する方向にある第２領域に設けられ、前記発光ダイオード部の発光を偏光し、さらに前記偏光した発光を特定の方向に出射させる偏向部と を含む、光偏向素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
|---|---|
その他の情報
| 関連特許 |
|
|---|