| 出願番号 |
特願2017-556030 |
| 出願日 |
2016/12/9 |
| 出願人 |
国立大学法人東北大学 |
| 公開番号 |
WO2017/104577 |
| 公開日 |
2017/6/22 |
| 登録番号 |
特許第6598166号 |
| 特許権者 |
国立大学法人東北大学 |
| 発明の名称 |
相変化材料および相変化型メモリ素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
相変化材料、およびその材料を用いた相変化型メモリ素子 |
| 目的 |
実用性に優れた相変化型メモリ素子を得るために適した新規組成を有する相変化材料、およびそれを用いた相変化型メモリ素子を提供する。 |
| 効果 |
実用性の高い相変化型メモリ素子を構成する事が可能となる。 |
技術概要
 |
Ｃｒ、Ｇｅ及びＴｅを主成分とし、結晶相における抵抗値がアモルファス相における抵抗値よりも大きく、前記Ｃｒ、Ｇｅ、Ｔｅ間には、一般化学式、
ＣｒｘＧｅｙＴｅ１００−ｘ−ｙ
で示される関係が存在し、ｘは１５．０−２５．０（ａｔ．％）、ｙは１５．０−２５．０（ａｔ．％）の範囲内で、３４．０（ａｔ．％）≦ｘ＋ｙ≦４８．０（ａｔ．％）となるように選択されている、相変化材料。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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