中性子発生源および当該中性子発生源の製造方法、中性子発生装置

基本情報

出願番号	特願2014-503524
出願日	2013/3/6
出願人	国立研究開発法人理化学研究所
公開番号	WO2013/133342
公開日	2013/9/12
登録番号	特許第5888760号
特許権者	国立研究開発法人理化学研究所
発明の名称	中性子発生源および当該中性子発生源の製造方法、中性子発生装置
技術分野	情報・通信、電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	中性子発生源およびこれを用いた中性子発生装置
目的	新規な小型の中性子源を提供する。
効果	実用化に求められる条件を満たしている小型の中性子発生源を提供することができる。
技術概要	陽子ビームまたは重陽子ビームの照射を受けて中性子線を発生させる中性子発生材料層と、当該中性子発生材料層に接合されている金属層とを備えており、上記金属層は、６０℃において１０↑（－１１）（ｍ↑２／秒）以上の水素拡散係数を示し、かつ中性子線を受けて生じる放射性核種のうち総放射線量の最も多い放射性核種が１２時間以下の半減期を示す金属元素を主成分として含んでおり、上記中性子発生材料層は、Ｂｅ、Ｂｅ化合物、ＬｉおよびＬｉ化合物からなる群から選択される中性子発生材料を含んでいる、中性子発生源。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立研究開発法人理化学研究所