スピントロニクスデバイス、磁気メモリ及び電子機器

開放特許情報番号
L2022000453
開放特許情報登録日
2022/3/28
最新更新日
2022/6/24

基本情報

出願番号 特願2020-541276
出願日 2019/9/4
出願人 慶應義塾
公開番号 WO2020/050329
公開日 2020/3/12
発明の名称 スピントロニクスデバイス、磁気メモリ及び電子機器
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 スピントロニクスデバイス、磁気メモリ及び電子機器
目的 大きなスピン流を生成することができるスピントロニクスデバイス、磁気メモリ及び電子機器を提供する。
効果 特定の材料に依存することなく、大きなスピン流を生成することができる。同様に、本開示によるスピントルク発振素子によれば、特定の材料に依存することなく、大きなスピン流を生成することができる。
技術概要
キャリア移動度若しくは電気伝導率の勾配を有する領域を備え、
前記勾配によって生じる電子の速度場の回転によりスピン流を生成する、スピントロニクスデバイス。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人慶應義塾

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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