光デバイスおよび書き込み方法

開放特許情報番号

L2022000352

開放特許情報登録日

2022/3/4

最新更新日

2022/3/4

基本情報

出願番号	特願2013-054227
出願日	2013/3/15
出願人	国立研究開発法人理化学研究所
公開番号	特開2014-178642
公開日	2014/9/25
登録番号	特許第6202300号
特許権者	国立研究開発法人理化学研究所
発明の名称	光デバイスおよび書き込み方法
技術分野	情報・通信
機能	制御・ソフトウェア、機械・部品の製造
適用製品	光デバイスおよびフォトリフラクティブ層への情報の書き込み方法
目的	比較的簡素な構成で、比較的高速かつ安定な応答を実現可能な、配向増大型フォトリフラクティブ材料を用いた光デバイスおよびフォトリフラクティブ層への情報の書き込み方法を提供する。
効果	比較的簡素な構成で、比較的高速かつ安定な応答を実現可能な、配向増大型フォトリフラクティブ材料を用いた光デバイスおよびフォトリフラクティブ層への情報の書き込み方法を提供することができる。
技術概要	配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を含むフォトリフラクティブ層および当該フォトリフラクティブ層を挟み込む一対の電極を備えたフォトリフラクティブセルと、 上記フォトリフラクティブ層に干渉光を照射する干渉光照射装置と、 上記一対の電極を介して上記フォトリフラクティブ層に電界を印加する電界印加装置と、 上記干渉光照射装置および上記電界印加装置の動作を制御する制御部と、を備え、 上記制御部は、 書き込み準備期間においては、上記フォトリフラクティブ層に基準電界の印加を行い、当該書き込み準備期間に後続する書き込み期間においては、上記基準電界と極性の反転した電界を上記フォトリフラクティブ層に印加するように上記電界印加装置の動作を制御するとともに、極性の反転した上記電界が上記フォトリフラクティブ層に印加されている状態で当該フォトリフラクティブ層に干渉光を照射するように上記干渉光照射装置の動作を制御する、光デバイス。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【可】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人理化学研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】