スピントロニクスデバイス
- 開放特許情報番号
- L2022000310
- 開放特許情報登録日
- 2022/2/25
- 最新更新日
- 2022/2/25
基本情報
| 出願番号 | 特願2012-231849 |
|---|---|
| 出願日 | 2012/10/19 |
| 出願人 | 国立大学法人東北大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2014/5/12 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人東北大学 |
| 発明の名称 | スピントロニクスデバイス |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | スピントロニクスデバイス |
| 目的 | スピン流−電流変換効率をさらに高めること。 |
| 効果 | 従来は逆スピンホール効果部材等のスピン流−電流相互変換部材の有するスピン流−電流変換係数αHで↓Ｈで規定されていたスピン流−電流変換効率をα↓Ｈ以上にすることが可能になる。 |
技術概要) |
エネルギーの供給により純スピン流或いはスピン波スピン流を発生するスピン流発生部材層と、
前記スピン流発生部材層に接合し、スピン流を電流に変換する或いは電流をスピン流に変換するスピン流−電流相互変換部材層と、 前記スピン流−電流相互変換部材層に設けられ、前記電流の流れる方向の上流側と下流側に設けられた一対の電極と を有し、 前記スピン流−電流相互変換部材層が、スピン流の流入方向の電気伝導度が他の方向の電気伝導度より低い異方導電性を有し、 前記異方導電性を有するスピン流−電流相互変換部材層が、導電性ポリマー、有機自己組織化膜、有機電荷移動錯体伝導体、層状遷移金属酸化物、或いは、３次元トポロジカル絶縁体のいずれかからなるスピントロニクスデバイス。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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