| 出願番号 |
特願2006-254013 |
| 出願日 |
2006/9/20 |
| 出願人 |
国立大学法人東北大学 |
| 公開番号 |
特開2008-078275 |
| 公開日 |
2008/4/3 |
| 登録番号 |
特許第4852755号 |
| 特許権者 |
国立大学法人東北大学 |
| 発明の名称 |
化合物半導体素子の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
化合物半導体素子の製造方法 |
| 目的 |
基板上に金属窒化物からなる結晶成長促進層を介して選択成長した高性能の化合物半導体素子を得るとともに、ＬＥＤ等の化合物半導体素子を基板及び金属窒化物からなる結晶成長促進層から容易に分離できるようにする。 |
| 効果 |
（１）選択的成長による垂直型ＬＥＤ製作工程を単純化させることができ、またレーザーリフトオフ法で問題になっている収率や再現性の問題を解決することができる。
（２）選択成長によるため、従来の全面成長する場合よりも反りを抑制することができる。
（３）化合物半導体は選択成長により独立して形成されているため、クラックの発生を抑えることができる。 |
技術概要
 |
単結晶基板上に金属窒化物からなる結晶成長促進層を形成する工程と、上記結晶成長促進層上に、結晶成長阻止のためのマスク層であって、上記結晶成長促進層が複数の独立した素子形成領域となるように選択的にパターニングされた区画領域を構成するとともに、エッチング溶液注入口となる注入口領域を構成するマスク層を形成する工程と、上記素子形成領域上にＡｌ↓ｘＧａ↓（１−ｘ）Ｎ（０≦ｘ＜１）バッファ層を成長させた後、Ａｌ↓ｘＧａ↓（１−ｘ）Ｎ（０≦ｘ＜１）バッファ層上にIII−Ｖ族窒化物半導体を主成分とする単結晶化合物半導体層を１層以上成長させて、そこに所望の化合物半導体素子を形成する工程と、上記化合物半導体素子の側面を被覆する工程と、上記注入口領域を除く全面に、金属支持層を形成する工程と、上記注入口領域からエッチング液を注入して、上記マスク層及び上記結晶成長促進層を除去する工程と、上記区画領域上の上記金属支持層から上記化合物半導体素子を分離する工程とを順に備えた、化合物半導体素子の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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