| 出願番号 |
特願2006-254012 |
| 出願日 |
2006/9/20 |
| 出願人 |
国立大学法人東北大学 |
| 公開番号 |
特開2008-078274 |
| 公開日 |
2008/4/3 |
| 登録番号 |
特許第4997502号 |
| 特許権者 |
国立大学法人東北大学 |
| 発明の名称 |
半導体素子の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体素子の製造方法 |
| 目的 |
基板上に半導体成長促進層等を介して選択成長したＬＥＤ等の半導体素子を、基板及び半導体成長促進層等から容易に分離できるようにする。 |
| 効果 |
（１）選択成長による垂直型ＬＥＤ等の半導体素子製作工程を単純化させることができ、またレーザーリフトオフ法で問題になっている収率や再現性の問題を解決することができる。
（２）選択成長によるため、従来の全面に成長する場合よりも反りを抑制することができる。
（３）半導体素子は選択成長により独立して形成されているため、クラックの発生を抑えることができる。
（４）マスクとして使った物質をエッチング除去することによって、成長促進層のエッチングのためのトンネルが形成され、トンネルによってエッチング速度が向上する。 |
技術概要
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基板上に下地層を形成する工程と、上記下地層上に、上記下地層が複数の独立した素子形成領域となるように選択的にパターニングされた区画領域を構成するとともに、エッチング溶液注入口となる注入口領域を構成するマスク層を形成する工程と、上記素子形成領域上に半導体層を１層以上形成して、そこに所望の半導体素子を形成する工程と、半導体素子の側面を被覆する工程と、上記注入口領域を除く全面に、金属支持層を形成する工程と、注入口領域からエッチング液を注入して、上記マスク層及び上記下地層を除去する工程と、区画領域上の金属支持層から半導体素子を分離し、半導体素子チップを得る工程とを備えた、半導体素子の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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