顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法
- 開放特許情報番号
- L2021002001
- 開放特許情報登録日
- 2022/1/5
- 最新更新日
- 2022/1/5
基本情報
| 出願番号 | 特願2016-145940 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/7/26 |
| 出願人 | 国立大学法人福井大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2018/2/1 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人福井大学 |
| 発明の名称 | 顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 検査・検出、機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法及びその装置 |
| 目的 | 界面における異なる物理現象を評価できるように改良された顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法及びその装置の提供。 |
| 効果 | 複数のレーザー光によって得られる光電子収率の分布及びこれから得られる光電流像から、同一の界面について、光電子収率の変位点と基礎吸収との間及び基礎吸収と光電子収率のピーク値との間の異なる物理現象を評価することが可能になる。 |
技術概要) |
導電性半導体で形成された支持基板の表面に結晶成長させた半導体結晶成長層の界面を顕微光応答法によって評価する方法において、
前記界面にレーザー光を照射することによって得られた光応答スペクトルから二以上の障壁高さ（ｑφＢ１＜ｑφＢ２＜・・・）が存在すると判断した場合に、 各々の障壁高さ（ｑφＢ１，ｑφＢ２，・・，ｑφＢｎ，ｑφＢｎ＋１・・・）によって光電子収率（Photoyield:Ｙ）が変位する変位点（ｈνｓ）を境として、前記変位点（ｈνｓ）と基礎吸収の開始点（ｈνｂ）との間のｈνｓ＜ｈν１＜ｈνｂとなる光子エネルギーｈν１のレーザー光Ｉと、ｈνｂ＜ｈν２＜ｈνｐ（ｈνｐ：光電子収率Ｙのピーク値）となる光子エネルギーｈν２のレーザー光ＩＩとを前記界面に照射し、 レーザー光Ｉ，ＩＩのそれぞれを前記界面に対して相対的にＸ−Ｙ方向に走査させながら、前記レーザー光Ｉ，ＩＩのそれぞれについて前記界面における二次元的な光電子収率Ｙの分布及び／又は光電流像を得ること、 を特徴とする顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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