薄膜トランジスタ
- 開放特許情報番号
- L2021001976
- 開放特許情報登録日
- 2021/12/23
- 最新更新日
- 2021/12/23
基本情報
| 出願番号 | 特願2017-025364 |
|---|---|
| 出願日 | 2017/2/14 |
| 出願人 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2018/8/23 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 日本放送協会 |
| 発明の名称 | 薄膜トランジスタ |
| 技術分野 | 電気・電子、金属材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 薄膜トランジスタ |
| 目的 | 主成分としてＺｎ−Ｏ−Ｎを含む半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタにおいて、高い電界効果移動度を保持しつつ、電気的特性の安定性を向上させた薄膜トランジスタを提供する。 |
| 効果 | 主成分としてＺｎ−Ｏ−Ｎを含む半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタにおいて、高い電界効果移動度を保持しつつ、電気的特性の安定性を向上させた薄膜トランジスタを提供することができる。 |
技術概要) |
少なくとも亜鉛、酸素、窒素、及びシリコンを含む半導体層と、
前記半導体層の第１面に配設されるソースと、 前記半導体層の前記第１面に配設されるドレインと、 前記半導体層の前記第１面又は第２面に配設されるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層に接続されるゲートと を含み、 前記半導体層に含まれるシリコンの割合は、０．３ａｔｏｍｉｃ％以上５ａｔｏｍｉｃ％以下である、薄膜トランジスタ。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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