目的
主成分としてＺｎ−Ｏ−Ｎを含む半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタにおいて、高い電界効果移動度を保持しつつ、電気的特性の安定性を向上させた薄膜トランジスタを提供する。
効果
主成分としてＺｎ−Ｏ−Ｎを含む半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタにおいて、高い電界効果移動度を保持しつつ、電気的特性の安定性を向上させた薄膜トランジスタを提供することができる。
技術概要
少なくとも亜鉛、酸素、窒素、及びシリコンを含む半導体層と、
前記半導体層の第１面に配設されるソースと、
前記半導体層の前記第１面に配設されるドレインと、
前記半導体層の前記第１面又は第２面に配設されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層に接続されるゲートと
を含み、
前記半導体層に含まれるシリコンの割合は、０．３ａｔｏｍｉｃ％以上５ａｔｏｍｉｃ％以下である、薄膜トランジスタ。
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