| 出願番号 |
特願2004-290711 |
| 出願日 |
2004/10/1 |
| 出願人 |
国立大学法人東北大学 |
| 公開番号 |
特開2006-108940 |
| 公開日 |
2006/4/20 |
| 登録番号 |
特許第4590549号 |
| 特許権者 |
国立大学法人東北大学 |
| 発明の名称 |
強誘電体単結晶製造のための原料組成決定方法、強誘電体単結晶の音響関連物理定数の校正方法、及び弾性表面波デバイスの設計パラメータ決定方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
検査・検出、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
強誘電体単結晶を製造するための原料組成を決定する方法、及びその強誘電体単結晶の音響関連物理定数を校正する方法、及び弾性表面波デバイスの高精度な設計パラメータの決定方法 |
| 目的 |
均一な強誘電体単結晶を育成するため、LFB超音波材料特性解析装置を用いて、結晶内の化学組成が均一になる真のコングルエント組成を決定する方法を提供する。 |
| 効果 |
特性のばらつきの少ないデバイスを製造することができる。また、量産される単結晶に対し、VLSAW測定を用いた信頼性の高い化学組成評価が可能になる。さらに、様々な化学的・物理的特性による絶対的な結晶評価および、高精度なデバイス設計が可能になる。 |
技術概要
 |
強誘電体単結晶製造のための原料組成決定方法において、コングルエント組成の近傍で互いに異なる組成を持つｎ個（ｎは２以上の整数）の強誘電体単結晶より予め決めたカット面で切り出した第１の基板の間の化学組成比の差分に対する漏洩弾性表面波速度の差分の比（差分比）の最大値を取る伝搬方向を最大値伝搬方向と定め、各上記強誘電体単結晶の育成軸方向の上部および下部より切り出した第２の基板の漏洩弾性表面波速度を前記最大値伝搬方向で測定し、該測定値より結晶育成軸方向の漏洩弾性表面波速度の分布が０となる真のコングルエント組成Ccを求め、前記強誘電体単結晶の弾性表面波速度に要求される許容幅、又はそれに対応する漏洩弾性表面波速度、キュリー温度、密度又は結晶組成のいずれかの許容幅を用いて上記真のコングルエント組成Ccからのずれの許容幅±△Ccを求め、強誘電体単結晶製造のための原料組成を決める事を特徴とする原料組成決定方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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