| 出願番号 |
特願2004-142537 |
| 出願日 |
2004/5/12 |
| 出願人 |
国立大学法人東北大学 |
| 公開番号 |
特開2005-327808 |
| 公開日 |
2005/11/24 |
| 登録番号 |
特許第4649604号 |
| 特許権者 |
国立大学法人東北大学 |
| 発明の名称 |
半導体デバイス |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体デバイス |
| 目的 |
より高度な情報処理装置の実現のため、シリコン集積回路と同一シリコン基板上にシリコン系四族半導体材料を用いた発光デバイス、受光デバイスを製作集積化し、二-六族化合物半導体及び三-五族化合物半導体を用いずに光により情報伝達を可能とする半導体デバイスを提供する。 |
| 効果 |
シリコン系四族半導体材料を使うことから、シリコン集積回路とともに成熟してきた集積化技術をそのまま利用できる。その結果、光デバイスをシリコン集積回路と同等の高集積化することが可能となり、光により情報伝達を可能とする半導体デバイスにより高度な情報処理装置が実現できる。 |
技術概要
 |
電気信号を光信号に変換する発光デバイスと、光信号を電気信号に変換する受光デバイスと、これら発光デバイスおよび受光デバイスを表面上に搭載配置した半導体基板とをシリコン系四族元素半導体又はこれらの複合物を主成分とする半導体材料で構成すると共に、前記発光デバイスと、前記受光デバイスとは、シリコン系四族元素の酸化物、窒化物、及び酸窒化物のいずれか一つによって形成された光伝送路によって接続されており、且つ、前記発光デバイス、前記受光デバイス、及び前記光伝送路を酸化膜で覆われたシリコン基板上に設けると共に、前記発光デバイス及び前記受光デバイスには、それぞれ２つの電極が形成されていることを特徴とする半導体デバイス。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)