機能デバイス及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2021001964
- 開放特許情報登録日
- 2021/12/27
- 最新更新日
- 2021/12/27
基本情報
| 出願番号 | 特願2008-179645 |
|---|---|
| 出願日 | 2008/7/9 |
| 出願人 | 国立大学法人東北大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2010/1/28 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人東北大学 |
| 発明の名称 | 機能デバイス及びその製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 機能デバイス及びその製造方法 |
| 目的 | ウェハレベルで集積回路基板及びマイクロマシン、さらにはカバーとなるＬＴＣＣ基板等を集積化することができるようにした、機能デバイス及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 | ウェハレベルで集積回路基板及びマイクロマシン、さらには受動回路をも内蔵できるカバー基板を積層して集積化することができるようにした、機能デバイスを構成することが可能である。 |
技術概要) |
Ｓｉ基板の犠牲層上に形成されたＳｉデバイス層にマイクロマシンを作製する第一の段階と、
上記Ｓｉ基板とほぼ同じ熱膨張率の材料から成るカバー基板の下面に封止用及び接合用の金属パッドを形成する第二の段階と、 内部に集積回路が構成された集積回路基板の上面に接合用及び封止用の金属パッドを形成し、該金属パッド上に金属バンプを形成する第三の段階と、 上記第三の段階で形成された上記金属バンプの上に接合層及び封止部を形成する第四の段階と、 上記第一の段階で作製された上記マイクロマシンを、上記第二の段階で上記金属パッドを形成された上記カバー基板に対して陽極接合によって接合し、上記犠牲層をエッチングして上記Ｓｉ基板を除去する第五の段階と、 上記集積回路基板上に上記カバー基板を載置して、上記封止部を用いて上記集積回路基板と上記カバー基板とを接合し、これら集積回路基板及びカバー基板の間の領域を封止する第六の段階と、 を含んでいることを特徴とする、機能デバイスの製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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