ヘテロエピタキシャル構造体及びその作製方法、並びにヘテロエピタキシャル構造を含む金属積層体及びその作製方法、ナノギャップ電極及びナノギャップ電極の作製方法

開放特許情報番号
L2021001725
開放特許情報登録日
2021/11/15
最新更新日
2021/11/15

基本情報

出願番号 特願2020-550206
出願日 2019/8/30
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2020/071025
公開日 2020/4/9
発明の名称 ヘテロエピタキシャル構造体及びその作製方法、並びにヘテロエピタキシャル構造を含む金属積層体及びその作製方法、ナノギャップ電極及びナノギャップ電極の作製方法
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 無電解めっきによりヘテロエピタキシャル成長を行う技術、無電解めっきによりヘテロエピタキシャル成長した領域を含むナノギャップ電極
目的 無電解めっきは素材の種類によってめっき膜を成長させることが困難である場合があり、密着性が高く、接触抵抗が低いめっき膜を形成することが困難であるという課題を解決する。
効果 第1金属部の表面にヘテロエピタキシャル成長した第2金属部を含むヘテロエピタキシャル構造体を得ることができる。第2金属部が第1金属部の表面でヘテロエピタキシャル成長した部位であることにより、第1金属部と第2金属部との密着性を高め、接触抵抗を低減することができる。また、このようなヘテロエピタキシャル構造を含む金属積層体およびナノギャップ電極を提供することができる。
技術概要
多結晶構造を有する第1金属部と、
前記第1金属部上の第2金属部と、を有し、
前記第2金属部は、前記第1金属部上で島状構造を有し、
前記第2金属部は、前記第1金属部の表面に露出する少なくとも一つの結晶粒に対応して設けられ、
前記第2金属部と前記少なくとも一つの結晶粒とは、ヘテロエピタキシャル界面を形成する、
ことを特徴とするヘテロエピタキシャル構造体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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