半導体装置及びその製造方法、電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2021001716
開放特許情報登録日
2021/11/11
最新更新日
2021/11/11

基本情報

出願番号 特願2020-032473
出願日 2020/2/27
出願人 学校法人早稲田大学
公開番号 特開2021-136358
公開日 2021/9/13
発明の名称 半導体装置及びその製造方法、電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置及びその製造方法
目的 BI特性を改善することができるGaN層を有する半導体装置及びその製造方法、電界効果トランジスタを提供する。
効果 ゲート絶縁膜内の電子トラップを低減することができ、GaNを有する半導体装置のバイアス不安定性を改善することができる。
技術概要
GaN層と、
前記GaN層上に形成された0.7nm以上3nm以下の範囲内の厚さを有するAlNまたはAlGaNからなる結晶質絶縁膜または結晶質半導体膜と、
前記結晶質絶縁膜上または前記結晶質半導体膜上に形成された絶縁膜と
を有することを特徴とする半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 本件は、『早稲田大学技術シーズ集(問合NO.2306)』に掲載されている案件です。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2021 INPIT