| 出願番号 |
特願2020-041416 |
| 出願日 |
2020/3/10 |
| 出願人 |
学校法人早稲田大学 |
| 公開番号 |
特開2021-145003 |
| 公開日 |
2021/9/24 |
| 発明の名称 |
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| 目的 |
界面準位密度を低減するためにＣ−Ｓｉ結合を含むシリコン終端層を備えたゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜を用いるダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 |
Ｃ−Ｏ結合に代わりＣ−Ｓｉ結合を含むシリコン終端層を備えることで界面準位密度を低減することができるダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することができる。 |
技術概要
 |
第１のダイヤモンド層と、
前記第１のダイヤモンド層の表面に設けられたシリコン酸化膜を含むゲート絶縁膜と、前記第１のダイヤモンド層の表面に互いに離間して設けられたソース領域及びドレイン領域と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備え、
前記第１のダイヤモンド層と前記ゲート絶縁膜との界面に、炭素原子とシリコン原子との結合からなるＣ−Ｓｉ結合を含むシリコン終端層を含む、
ことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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