塗布型酸化物半導体、薄膜トランジスタ、表示装置および塗布型酸化物半導体の製造方法

開放特許情報番号
L2021001589
開放特許情報登録日
2021/11/2
最新更新日
2021/11/2

基本情報

出願番号 特願2017-025300
出願日 2017/2/14
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2017-152693
公開日 2017/8/31
登録番号 特許第6918511号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 塗布型酸化物半導体、薄膜トランジスタ、表示装置および塗布型酸化物半導体の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 塗布型酸化物半導体、その塗布型酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタ、その薄膜トランジスタを備えた表示装置、および上記塗布型酸化物半導体の製造方法
目的 有機物等の残留量が高い塗布型酸化物半導体において、従来よりも大きい電子(ホール)移動度を得ることができるとともに、緻密な構造とすることができる塗布型酸化物半導体、薄膜トランジスタ、表示装置およびその塗布型酸化物半導体の製造方法を提供する。
効果 酸化物半導体の半導体特性、特に電子(またはホール)移動度を大幅に改善した塗布型酸化物半導体、薄膜トランジスタおよび表示装置を得ることができ、また、上記のような塗布型酸化物半導体が得られる、塗布型酸化物半導体の製造方法を得ることができる。
技術概要
所定の酸化物半導体溶液を塗布、乾燥してなる酸化物半導体層内に水素が導入され、該水素が導入された該酸化物半導体層は、紫外線が照射された上で、酸化されてなることを特徴とする塗布型酸化物半導体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2021 INPIT